非晶氧化硅薄膜带尾发光特性
Band Tail Photoluminescence of Amorphous SiO_x Films作者机构:河北大学物理科学与技术学院光电信息材料重点实验室河北保定071002
出 版 物:《光学学报》 (Acta Optica Sinica)
年 卷 期:2012年第32卷第7期
页 面:293-298页
核心收录:
学科分类:0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 070302[理学-分析化学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金:国家自然科学基金(60940020 60878040)资助课题
主 题:光谱学 带尾态发光 光学吸收 时间分辨光谱 非晶氧化硅
摘 要:采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变CO2流量制备了不同氧含量的非晶氧化硅薄膜。利用紫外可见吸收谱、傅里叶红外吸收谱和稳态/瞬态光致发光谱等技术研究了薄膜的微观结构和光学特性。实验结果表明,随着氧含量的增加,薄膜的带隙增大,光致发光强度增加、峰值朝高能方向移动、光谱半峰全宽展宽。时间分辨光谱显示薄膜发光峰值处的衰减时间随氧含量的增加从6.2ns单调增加到21ns,而同一样品的发光寿命随发射波长能量增加而减小。综合分析光学吸收、发射及发光衰减特性表明,薄膜的发光机制主要归结为非晶材料带尾态之间的辐射复合。