X射线光电子能谱法研究硅纳米线的能带结构
The Study on Energy Band Structure of Silicon Nanowires with XPS作者机构:安徽师范大学化学与材料科学学院安徽省功能性分子固体重点实验室安徽芜湖241000
出 版 物:《光谱学与光谱分析》 (Spectroscopy and Spectral Analysis)
年 卷 期:2007年第27卷第9期
页 面:1878-1881页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 0702[理学-物理学]
摘 要:制备了氧辅助热分解法,以一氧化硅为原料,以氩气为载气,维持管内压强为1000 Pa,在高温炉中于1250℃下反应5 h后得到硅纳米线。硅纳米线经5%氢氟酸水溶液处理5 min后,与1×10-3mol.L-1的氯化金溶液中反应5 min,在硅纳米线的表面上修饰了金纳米粒子,用X射线粉末衍射表征了产物的结构,同时观察到单质硅和金的XRD图谱;用电子扫描和透射显微镜观察了产物的形貌,表明氧辅助方法可制得大量均匀的硅纳米线,修饰在硅纳米线上的金纳米点形状整齐,尺寸均匀,平均直径约8 nm;并用X射线光电子能谱分析了修饰过程中能带结构的变化。结果表明,金纳米粒子表面带负电,它在施主能级和受主能级上都有电子存在;由于氧杂质的存在,硅纳米线的费米能级移向价带顶。