利用离子激发发光研究ZnO离子注入和退火处理的缺陷变化

作     者：罗长维 仇猛淋 王广甫 王庭顺 赵国强 华青松 Luo Chang-Wei;Qiu Meng-Lin;Wang Guang-Fu;Wang Ting-Shun;Zhao Guo-Qiang;Hua Qing-Song

作者机构：北京师范大学核科学与技术学院射线束教育部重点实验室北京100875 北京市辐射中心北京100875 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2020年第69卷第10期

页      面：83-88页

核心收录：

学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11905010) 中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2018NTST04) 中国博士后科学基金(批准号:2019M650526)资助的课题 

主　　题：离子激发发光 退火 ZnO 

摘      要：在北京师范大学GIC41172×1.7 MV串列加速器上,利用离子激发发光(ions beam induced luminescence,IBIL)技术研究了2 MeV H^+注入ZnO的缺陷变化及473和800 K退火处理对缺陷的恢复作用.实验表明,在2 MeV H^+的辐照下,晶体内部产生的点缺陷会快速移动、聚集成团簇,从而抑制发光.473 K退火后的受辐照ZnO晶体内仍存在着大量的缺陷和团簇,而这些缺陷和团簇作为非辐射中心抑制着ZnO晶体的发光.800 K的退火处理可以显著地分解辐照过程中形成的团簇,也可以帮助点缺陷回到晶格位置,从而减少晶体内部的不平衡缺陷,提高晶体的结晶度,使退火后的受辐照ZnO样品IBIL光强大幅度增强.