使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器

作     者：王少华 于光明 刘勇攀 杨华中 WANG Shaohua;YU Guangming;LIU Yongpan;YANG Huazhong

作者机构：清华大学电子工程系北京100084 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2008年第48卷第7期

页      面：1123-1126页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0810[工学-信息与通信工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0701[理学-数学] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(90207001 90307016) 国家"八六三"高技术项目(2006AA01Z224) 

主　　题：集成电路 金属氧化物半导体(MOS) 电感电容振荡器 相位噪声 变容管 

摘      要：为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)变容管。该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声。在中芯国际0.18μm互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO。仿真结果表明:当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz,与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB。