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量子阱中极化子性质的温度关系

Temperature Dependence of Electron Self Energy and Effective Mass in a Polar Crystal Quantum Well

作     者:秦荣华 顾世洧 

作者机构:上海交通大学应用物理系 

出 版 物:《上海交通大学学报》 (Journal of Shanghai Jiaotong University)

年 卷 期:1998年第32卷第12期

页      面:1-4页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学] 

基  金:国家自然科学基金 

主  题:格林函数 最子阱 有效质量 极化子 温度 半导体 

摘      要:利用格林函数理论研究了量子阱中极化子性质对温度的依赖关系,并首次引入准二维格林函数.在理论上,考虑到所有激发态对极化子基态的影响,并以GaAs/Ga0.75Al0.25As量子阱为例进行了数值计算.结果表明,在0~100K范围内,电子的自能随温度的升高而减小,有效质量随温度的升高而增大.

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