微处理器静电电磁脉冲辐照效应试验研究

作     者：臧扬 路潇 ZANG Yang;LU Xiao

作者机构：中国人民解放军73906部队52分队 军械工程学院训练部 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2006年第32卷第10期

页      面：53-55页

核心收录：

学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 

主　　题：静电放电 电磁脉冲 辐照效应 微处理器 敏感度 

摘      要：为研究静电电磁脉冲(ESD EMP)对嵌入式微处理器(MPU)的影响,根据IEC61000-4-2标准,利用静电电磁脉冲电场测试系统对FPGA、CPLD、80C196单片机3种电路进行ESD EMP辐照效应试验,同时实测了耦合板周围电场强度,根据试验结果分析了故障原因。试验发现ESD EMP对MPU系统工作稳定性影响较大,使FPGA、CPLD、80C196单片机集成电路发生死机或重启故障的静电放电电压阈值分别为13、7和10kV;3种微处理器对ESD EMP的敏感度序列为:CPLD80C196单片机FPGA。ESD EMP对MPU电路危害表现在放电的近场区,容易造成电子器件的击穿,而在远场区,主要是对电子设备造成高频干扰。