量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

作     者：廖芳 莫春兰 王小兰 郑畅达 全知觉 张建立 江风益 LIAO Fang;MO Chun-lan;WANG Xiao-lan;ZHENG Chang-da;QUAN Zhi-jue;ZHANG Jian-li;JIANG Feng-yi

作者机构：南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心江西南昌330096 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2020年第41卷第4期

页      面：429-434页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：江西省重大科技研发专项(20165ABC28007,20171BBE50052,20182ABC28003) 国家自然科学基金(61704069,51602141,11674147) 中央引导地方科技发展专项资金(20192ZDD02004)资助项目 

主　　题：绿光LED 量子垒 生长速率 外量子效率 

摘      要：利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料。在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响。使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征。实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升。我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升。