缺陷对极紫外掩模多层结构反射场的扰动研究

作     者：李冠楠 刘立拓 周维虎 石俊凯 陈晓梅 LI Guannan;LIU Lituo;ZHOU Weihu;SHI Junkai;CHEN Xiaomei

作者机构：中国科学院微电子研究所光电技术研发中心北京100029 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：2020年第41卷第2期

页      面：217-222页

学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(51905528) 国家重点研发计划项目(2017YFF0107300) 中国科学院前沿科学重点研究计划项目(QYZDY-SSW-JSC008) 

主　　题：极紫外光刻掩模 相位缺陷 时域有限差分法 扰动分析 

摘      要：极紫外光刻掩模具有特殊的多层膜堆叠的反射式结构,在工艺制造过程中极易产生缺陷,引起多层膜结构变形,从而对掩模反射场产生干扰。这种掩模缺陷是制约极紫外光刻技术发展的难题之一。建立了含有缺陷的极紫外掩模多层膜结构模型,在此基础上采用时域有限差分(FDTD)法分析了缺陷尺寸和缺陷位置对掩模多层膜结构反射场分布的影响。结果表明,多层膜结构反射场受干扰程度是缺陷的高度和宽度综合作用的结果,并且与缺陷结构的平缓程度有关。反射场受干扰程度也与缺陷在多层膜结构内部的高度位置有关,引起多层膜结构靠近底层变形的缺陷对反射场的影响较小,而引起多层膜结构靠近顶层变形的缺陷对反射场有明显的干扰。