阳极氧化法制备壁垒型Al_2O_3绝缘膜的研究

作     者：洪春燕 叶芸 郭凡 李松 林之晓 蒋亚东 郭太良 

作者机构：福州大学物理与信息工程学院福州350002 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 

出 版 物：《真空科学与技术学报》 (Chinese Journal of Vacuum Science and Technology)

年 卷 期：2013年第33卷第1期

页      面：35-40页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0806[工学-冶金工程] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(61106053) 教育部博士点博导基金项目(20103514110007) 电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放课题(KFJJ200916) 

主　　题：阳极氧化 壁垒型Al2O3膜 绝缘性能 击穿场强 

摘      要：采用阳极氧化法在Al膜上制备具有绝缘性能的壁垒型Al2O3膜,研究不同成分比例的电解液、阳极氧化电压对壁垒型Al2O3膜性能的影响。利用能量分散谱和扫描电镜观测壁垒型Al2O3膜的元素组成、表面形貌及厚度,并对其绝缘耐压性进行了测试。结果表明,所制备的Al2O3膜厚度均为纳米量级,在95%乙二醇,1.9%癸二酸铵,3.1%硼酸的电解液中,以300V恒定电压制备的壁垒型Al2O3膜拥有很好的绝缘性能,击穿场强可达5.25MV/cm。