Si－GaP（110）异质结形成过程中能带偏移的变化
Variation of band offset during the Si-GaP(110) heterojunction formation作者机构：复旦大学物理学系
出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)
年 卷 期：1994年第33卷第3期
页 面：249-254页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化·能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即已形成，并随Ｓｉ覆盖层厚度而增加，至约５、６层后趋于最终值．
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