Si-GaP(110)异质结形成过程中能带偏移的变化
Variation of band offset during the Si-GaP(110) heterojunction formation作者机构:复旦大学物理学系
出 版 物:《复旦学报(自然科学版)》 (Journal of Fudan University:Natural Science)
年 卷 期:1994年第33卷第3期
页 面:249-254页
核心收录:
学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学]
摘 要:用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Si—GaP(110)异质结形成过程中的能带偏移变化·能带偏移在第1层Si覆盖在GaP(110)衬底上后即已形成,并随Si覆盖层厚度而增加,至约5、6层后趋于最终值.