溶液法铝诱导晶化多晶硅薄膜

作     者：王烁 罗翀 赵颖 熊绍珍 WANG Shuo;LUO Chong;ZHAO Ying;XIONG Shao-Zhen

作者机构：南开大学光电子器件与技术研究所天津市光电子薄膜材料和器件重点实验室天津300071 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2008年第24卷第9期

页      面：1689-1693页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目(973)(2006CB202602、2006CB202603) 国家自然科学基金重点基金(60437030)资助 

主　　题：Al诱导晶化 化学诱导源 溶液法 多晶硅薄膜 

摘      要：介绍了一种基于溶液的廉价制备Al诱导晶化多晶硅薄膜的方法.先以低压化学气相沉积(LPCVD)方法制备50nm厚的非晶硅(amorphous silicon,a-Si)薄膜作为前驱物,通过旋涂的方法,将含有Al的盐溶液涂覆在a-Si薄膜表面,550-620℃下氮气氛围退火若干小时得到多晶硅薄膜.文中针对化学诱导源的种类、前驱物表面状况对晶化效果的影响进行了研究.发现只有反应生成物中含有偏铝酸根(AlO2-)的碱性溶液才能发生诱导晶化,而若Al溶液浓度过低,则不能得到连续的多晶硅薄膜.a-Si表面若附有薄氧化层会有利于Al盐溶液在表面上的粘附以及得到大尺寸的晶粒,然而又会增高退火晶化所需要的温度.同时溶液在薄膜表面的粘附状况还会受到溶液中存在的其它离子的影响.因此必须选用合适的实验条件.