平面LED阵列远场条件研究与实验验证

作     者：赖伟 陈伟民 雷小华 刘显明 李存龙 LAI Wei;CHEN Weimin;LEI Xiaohua;LIU Xianming;LI Cunlong

作者机构：重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室光电工程学院重庆400044 

出 版 物：《光学技术》 (Optical Technique)

年 卷 期：2011年第37卷第3期

页      面：269-274页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家863计划项目(2008AA03A193) 重庆市科技攻关重大项目(2007AB4006) 

主　　题：应用光学 平面LED阵列 发光强度 照度平方反比定律 远场条件 

摘      要：平面LED(light-emitting diode)阵列远场条件是实现其光度学参数正确测量的前提,为了确定不同平面LED阵列的远场条件,基于点光源发光强度的测量原理建立了面光源光轴上的不同距离下照度与距离平方乘积的函数关系模型,用其表征面光源光轴上光场的分布规律。在此基础上利用照度平方反比定律,以及平面LED阵列远场的近似条件,推导出了平面LED阵列远场条件的理论计算模型。以某款LED日光灯和LED射灯为对象,搭建了相关实验测量系统,对其光轴上的光场分布规律以及远场条件进行了实验验证。结果表明,LED日光灯和LED射灯在光轴上的光场实验分布曲线与理论分布曲线基本吻合,并且LED日光灯和LED射灯的理论远场条件分别为测量距离大于或等于LED阵列尺寸的4.4倍和14.6倍,实验远场条件分别为测量距离大于或等于LED阵列尺寸的5.1倍和17.7倍,实验和理论计算的远场条件基本一致,从而验证了LED阵列远场理论模型的正确性。