新型集成阵列四象限CMOS光电传感器的研制

作     者：周鑫 朱大中 ZHOU Xin;ZHU Da-zhong

作者机构：浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所浙江杭州310027 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2005年第33卷第5期

页      面：928-930页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.90307009) 

主　　题：阵列式象限传感器 相关二次采样 互补金属氧化物半导体光电传感器 动态范围调整 二次扫描 

摘      要： 本文介绍了一种用于目标跟踪和坐标定位的新型集成阵列四象限CMOS光电传感器.该传感器采用上华0.6μm标准CMOS工艺制造,实现了象限传感器与后端信号处理电路的单片集成.该传感器由16×16单元有源光电管阵列,相关二次采样电路和时序控制电路组成.每个有源光电管的大小为60μm×60μm,其感光面积百分比(FillFactor)为64.5%.通过变频二次扫描的工作模式可将传感器的感光动态范围增大为84dB.传感器的感光灵敏度为2V/lx·s,工作速度根据目标照度可在2ms/帧～64ms/帧范围内调整.