氧等离子体处理对氧化铟锡表面化学状态影响的ADXPS研究
ADXPS Study of Effects of Oxygen Plasma Treatment on Surface Chemical States of Indium Tin Oxide作者机构：清华大学化学系北京100084 香港浸会大学物理系 ULVACPHI公司
出 版 物：《真空科学与技术》 (Vacuum Science and Technology)
年 卷 期：2001年第21卷第4期
页 面：263-268页
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (2 9875 0 13)
主 题：氧等离子体 变角X射线光电子谱 氧化铟 锡薄膜 导电性 表面电化学状态 表征 表面化学结构
摘 要：利用变角X射线光电子谱对氧等离子体处理前后氧化铟锡ITO薄膜的表面化学状态进行了表征。实验发现用溶剂清洗之后的ITO薄膜表面存在一层厚度大约为 0 7nm的非导电碳氢化合物污染层。氧等离子体处理方法可有效地消除C污染 ,而残存的少量污染C被部分氧化形成含羰基和羧基的化学物种。氧等离子体处理不仅提高了约 5 0nm深度范围内的ITO薄膜表层中O的总体含量 ,更重要的是提高了膜层中O2 - 离子氧种的含量 ,改变了膜层化学结构 ,使得ITO薄膜表面的导电性能降低 。
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