低能高束流氩离子源的结构及性能

作     者：任春生 牟宗信 王友年 REN Chunsheng;MU Zongxin;WANG Younian

作者机构：大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连116023 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2006年第29卷第10期

页      面：730-733页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070204[理学-等离子体物理] 0702[理学-物理学] 

主　　题：氩离子源 空心阴极 空心阳极 磁场 离子源性能 溅射沉积 

摘      要：离子源技术是等离子体研究中的一项重要内容,而低能大束流源则是离子源技术研究中的一个重要方向,因为这样的源在离子束刻蚀、离子束溅射镀膜以及荷能粒子与物质相互作用方面都有广泛的应用;本文采用空心阴极空心阳极结构,用热阴极电子发射弧放电驱动并用磁场约束产生等离子体,用曲面发射引出离子束,研制成了氩气放电溅射离子源;研究了灯丝加热电流、弧压对弧流的影响和弧流与工作气体压力对离子束引出的影响规律。离子源的引出电压在0—4.0kV之间连续可调,最大引出束流为100mA,束斑面积为φ6.0cm,以Ti为溅射靶时的最大溅射沉积率为0.45nm/s,离子源可连续工作160h。