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熔体外延法生长的截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)的电学性质

Electrical Properties of Melt-Epitaxy-Grown InAs_(0.04)Sb_(0.96) Layers with Cutoff Wavelength of 12 μm

作     者:高玉竹 龚秀英 梁骏吾 桂永胜 山口十六夫 GAO Yu-zhu;GONG Xiu-ying;LIANG Jun-wu;GUI Yong-sheng;Yamaguchi Tomuo

作者机构:同济大学电子与信息工程学院上海200092 中国科学院上海技术物理研究所上海200083 日本国立静冈大学电子工学研究所 

出 版 物:《光电子.激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期:2005年第16卷第11期

页      面:1329-1332页

核心收录:

学科分类:081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60376002) 

主  题:InAsSb 熔体外延(ME) 电子迁移率 散射 纯度 

摘      要:用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为:300 K时,n=2.3×1016cm-3,μ=6×104cm2/Vs;200K时,n=1×1015cm-3,μ=1×105cm2/Vs。分析了石墨舟和石英舟中生长的外延材料不同的电学特性及其散射机理。结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0.04Sb0.96单晶在200 K以下的电子迁移率有明显的影响。

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