溅射气压对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响

作     者：周继承 李莉 ZHOU Ji-cheng;LI Li

作者机构：中南大学物理科学与技术学院长沙410083 

出 版 物：《中国有色金属学报》 (The Chinese Journal of Nonferrous Metals)

年 卷 期：2009年第19卷第7期

页      面：1278-1283页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：湖南省科技重大专项资助项目(08FJ1002) 长沙市科技计划重大专项资助项目(K080101-11) 

主　　题：射频磁控溅射 ZnO薄膜 溅射气压 透明导电薄膜 

摘      要：采用射频磁控溅射方法,在普通玻璃上制备了具有高度c轴取向的ZnO薄膜,研究了溅射气压(0.2～1.5Pa)对ZnO薄膜的微观结构和光电性能的影响。AFM、XRD、UV-Vis分光光度计及四探针法研究表明:随着溅射气压的增大,ZnO薄膜沿c轴方向的结晶质量提高,晶粒细化,薄膜表面更加致密,晶粒大小更加均匀;ZnO薄膜在400～900nm范围内的平均透过率均高于85%,其中在0.5～1.5Pa范围内其透过率高于90%;样品在高纯氮气气氛中经350℃,300s退火后,电阻率最低达到10-2Ω·cm量级。