不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

作     者：熊伟 储向峰 董永平 毕磊 叶明富 孙文起 XIONG Wei;CHU Xiang-feng;DONG Yong-ping;BI Lei;YE Ming-fu;SUN Wen-qi

作者机构：安徽工业大学化学化工学院马鞍山243002 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2013年第42卷第6期

页      面：1064-1069页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家自然科学基金项目(50975002) 安徽工业大学创新团队项目(TD201204) 教育部高校留学回国人员科研项目 

主　　题：蓝宝石 化学机械抛光 去除速率 表面粗糙度 磨料 

摘      要：本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3、不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小。研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度。实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想;而采用含1%粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm;采用含1%粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm。