预非晶化离子注入对硅p^+n结性能的影响
Influence of Preamorphized Implantation on Silicon p+n Junction Properties作者机构：长沙铁道学院材料研究所
出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期：1999年第30卷第4期
页 面：372-374页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
主 题：离子预非晶化 双离子注入 快速热退火 p^+n结性能
摘 要：用Ｓｉ＋／Ｂ＋、Ａｒ＋／Ｂ＋双注入结合快速热退火技术制备出了较浅的ｐ＋ｎ结，用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱、二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋或Ａｒ＋预非晶化离子注入的作用。结果表明，适当条件的Ｓｉ＋预非晶化注入能有效地抑制硼原子的沟道效应，用Ｓｉ＋／Ｂ＋双注入制备出了高硼原子电激活率的Ｐ＋薄层，且电性能优良，残留二次缺陷少，ｐ＋ｎ结二极管反偏漏电流仅２．０ｎＡ／ｃｍ２（－１．４Ｖ）；而Ａｒ＋注入虽然也能抑制硼原子注入沟道效应，但它使注入硼原子电激活率低，制得的Ｐ＋薄层性能差。
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