高速沉积μc-Si：H薄膜生长机制及其微结构的研究

作     者：韩晓艳 耿新华 郭群超 袁育杰 候国付 魏长春 张晓丹 孙建 薛俊明 赵颖 蔡宁 任慧志 张德坤 HAN Xiao-yan;GENG Xin-hua;GUO Qun-chao;YUAN Yu-jie;HOU Guo-fu;WEI Chang-chun;ZHANG Xiao-dan;SUN Jian;XUE Jun-ming;ZHAO Ying;CAI Ning;REN Hui-zhi;ZHANG De-kun

作者机构：南开大学光电子薄膜器件与技术研究所光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室天津300071 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2008年第19卷第1期

页      面：54-57页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(2006CB202602 2006CB202603) 

主　　题：微晶硅薄膜(μc-Si:H) 微结构 纵向均匀性 衬底形貌 

摘      要：采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料。测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pinμc-Si:H太阳电池的μc-Si:Hp型材料应具备的条件。