GaN折射率的椭圆偏振光谱研究

作     者：连传昕 李向阳 刘骥 

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083 山东大学信息科学与工程学院山东济南250100 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2004年第23卷第4期

页      面：262-264页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：氮化镓 椭圆偏振光谱 折射率 反射光谱 色散关系 半导体材料 

摘      要：利用 4 0 0～ 12 0 0nm波段的椭圆偏振光谱对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂纤锌矿氮化镓 (GaN)外延薄膜进行了研究 .通过拟合实验数据获得了GaN薄膜的厚度和在可见 近红外区域的折射率色散关系 ,即n2 (λ) =2 .2 6 2+330 .12 / ((λ/nm) 2 - 2 6 5 .72 ) .利用这一公式研究了GaN紫外 可见波段的反射光谱 ,计算得到的GaN薄膜厚度 ,与椭偏光谱结果一致 ,两者偏差仅为 0 .6 8% .