低压化学气相淀积多晶硅薄膜工艺研究
Research on Polysilicon Thin Film Technics by LPCVD作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900
出 版 物：《新技术新工艺》 (New Technology & New Process)
年 卷 期：2006年第11期
页 面：34-35页
学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
摘 要：在研制器件过程中,多晶硅制备的工艺条件对其性能影响较大。讨论了低压化学气相淀积(LPCVD)关键材料多晶硅薄膜的基本原理,考察了工作压力、反应温度等对多晶硅薄膜淀积速率的影响,以及影响多晶硅薄膜质量的因素,提出了改进措施,优化了多晶硅制备工艺参数,制备了合格的多晶硅薄膜。
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