SnO_2的电子结构和光学性质密度泛函理论研究（英文）

作     者：邵婷婷 张富春 张威虎 Shao Tingting;Zhang Fuchun;Zhang Weihu

作者机构：延安大学陕西延安716000 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2015年第44卷第10期

页      面：2409-2414页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：Scientific Research Program of the Educational Committee of Shanxi Province,China(2013JK0917) Scientific Research Program of Yan’an,China(2013-KG03) 

主　　题：SnO2 密度泛函理论 电学结构 电学性质 光学性质 

摘      要：基于平面波赝势密度泛函理论,分别采用GGA,LDA,B3LYP和PBE0方法研究了金红石型SnO2的结构、电学和光学性质。计算结果表明,采用GGA和LDA超软赝势计算的性质接近,采用GGA和LDA模守恒赝势计算结果类似,采用B3LYP和PBE0方法计算的性质相似。采用B3LYP和PBE0方法计算的带隙相比较采用GGA和LDA模守恒赝势更接近于实验数据,而采用GGA和LDA超软赝势计算的带隙最小。尽管采用不同方法计算的SnO2带隙差距很大,但是计算的态密度和光学性质曲线基本相似,仅仅在数值上有些区别。从计算分析结果来看,采用B3LYP和PBE0方法计算金红石型SnO2的结构、电学和光学性质比其他方法更接近实验值。