蒽类衍生物的电荷传输性质

作     者：段桂花 高洪泽 王丽娟 张厚玉 马於光 DUAN Gui-Hua;GAO Hong-Ze;WANG Li-Juan;ZHANG Hou-Yu;MA Yu-Guang

作者机构：吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室长春130012 中国人民武装警察部队学院基础部河北廊坊065000 

出 版 物：《物理化学学报》 (Acta Physico-Chimica Sinica)

年 卷 期：2010年第26卷第8期

页      面：2292-2297页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

基　　金：国家自然科学基金(20603013) 国家重点基础研究发展规划项目(973) (2009CB623605)资助~~ 

主　　题：密度泛函理论 蒽类衍生物 迁移率 电荷传输 分子重组能 

摘      要：以具有较高迁移率的对称取代类蒽的衍生物{2,6-二[2-(4-戊基苯基)乙烯基]蒽,DPPVAnt;2,6-二-噻吩蒽,DTAnt;2,6-二[2-己基噻吩]蒽,DHTAnt}为研究对象,采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-31G(d)的基组水平上研究了三种蒽类衍生物的分子结构、电子结构、重组能和电荷传输积分,采用Einstein关系式计算了室温下的载流子迁移率,并与蒽的相关计算结果进行了比较.DPPVAnt是较好的空穴传输材料,其空穴迁移率为0.49cm2·V-1·s-1;DHTAnt有利于电子传输,其电子迁移率为0.12cm2·V-1·s-1;而DTAnt是一种较好的双极性材料,其空穴迁移率和电子迁移率分别为0.069和0.060cm2·V-1·s-1.计算得到的迁移率与实验结果处于同一数量级.三种蒽类衍生物的电子重组能与蒽的相近,而空穴重组能均大于蒽的空穴重组能,大小顺序为蒽DPPVAntDTAntDHTAnt.这与计算的迁移率结果不一致,说明分子的堆积结构决定材料的电荷传输性质.