InGaAs／AlAs双势垒RTD单片高速逻辑IC的研制
Fabrication of InGaAs/AlAs Double Barrier RTD Based Monolithic High-Speed Logicintegrated Circuits作者机构：美国Notre Dame大学电机工程系
出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)
年 卷 期：1996年第13卷第2期
页 面：1-5页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：本文叙述一种新型的基于ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡＳ双势垒ＲＴＤ单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Ｓｃｈｏｔ－ｔｋｙ／ＲＴＤ集成双稳开关已工作到３ＧＨＺ的振荡频率。
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