V形GaAs/AlGaAs量子线结构的微区光致发光谱研究

作     者：李志锋 陆卫 刘兴权 沈学础 Y.FU M.WILLANDER H.H.TAN C.JAGADISH 

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083 Microelectronic Centerat Chalmers Physical Electronics and PhotonicsDepartment of PhysicsUniversity of Gteborg and Chalmers University of Technology Department of Electronic Material EngineeringResearch School of Physical Science and Engineeringthe Australian National University 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2000年第49卷第9期

页      面：1809-1813页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：上海市青年科技启明星项目! (批准号 :98QA14 0 0 4) 国家重点基础研究发展规划项目!(批准号 :G19980 614 0 4)&& 

主　　题：V形 AlGaAs 量子线 显微光致发光 砷化镓 

摘      要：在室温下用显微光致发光的方法对单根V形GaAs/AlGaAs量子线进行了沿垂直于量子线方向的空间分辨扫描测试 ,观察到各种量子结构的光致发光谱随空间位置的变化 .在量子线区域附近观察到来自量子线 (QWR)、颈部量子阱 (NQWL)和垂直量子阱 (VQWL)等各种结构的发光 ,而在距离量子线约 1μm以远的发光光谱表现出侧面量子阱 (SQWL)的发光 .对全部发光光谱用高斯线形进行了拟合 ,发现QWR和SQWL的发光包含了两个荧光峰 ,将它们分别归诸为电子到轻、重空穴的跃迁 .拟合后发光强度的空间变化直接确定了与量子线结构相关的发光起源 ,并且反映出由于载流子由SQWL迁移进入QWR造成SQWL发光峰的淬灭 .