元素掺杂氧化亚铜光电材料的研究进展
Research progress of element doped cuprous oxide photovoltaic materials作者机构:上海电力大学能源与机械工程学院
出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)
年 卷 期:2019年第50卷第10期
页 面:10047-10056页
核心收录:
学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:国家自然科学基金面上资助项目(51576119) 青年东方学者资助项目(QD2016052)
摘 要:氧化亚铜(Cu2O)是一种具有独特性质的氧化物半导体材料。元素掺杂氧化亚铜对提高薄膜光学和电学性能是行之有效的方法。掺杂改性是改善材料性能的重要途径之一。因此,主要综述了氧化亚铜与金属、非金属和稀土元素以及第ⅣA主族元素掺杂后,其光学带隙、电阻率、导电类型和转换效率的变化。综合分析了元素掺杂对Cu2O的光学性能的影响,并展望了元素掺杂氧化亚铜在未来光伏研究方面的巨大潜力。