凝胶中络合物浓度分布对CuI晶体生长的影响

作     者：顾牡 李益峰 汪大祥 刘小林 徐荣昆 黎光武 欧阳晓平 GU Mu;LI Yifeng;WANG Daxiang;LIU Xiaolin;XU Rongkun;LI Guangwu;OUYANG Xiaoping

作者机构：同济大学波耳固体物理研究所波与材料微结构实验室上海200092 中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 中国原子能研究院核物理研究所北京102413 西北核技术研究所西安710024 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2006年第34卷第9期

页      面：1070-1074页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(10476018 10475068)资助项目 教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划[教人司(2002)123] 西北核技术研究所专项科研基金(0412003)资助项目 

主　　题：碘化亚铜 晶体生长 络合解络法 浓度控制 扩散规律 

摘      要：采用改进的浓度控制的络合解络法在硅凝胶中生长出形状规则的CuI单晶。通过分光光度法测量铜离子浓度,分析了硅凝胶中络合物浓度和浓度梯度对晶体生长的影响。实验发现:要获得形貌规则且尺寸较大的CuI单晶,在晶体生长区必须维持一个低而稳定的络合物浓度和浓度梯度。就浓度递减法而言,生长区的浓度和浓度梯度一般可分别控制在0.01～0.03mol/L范围和0.012mol/(L·cm)左右,这样生长区的过饱和度可以维持在一个使晶体缓慢生长的水平。为更好地调控凝胶中络合物的浓度分布,通过浓度递增法研究了络合物的扩散规律,得到其平均扩散系数为1.521×10-5cm2/s,这一结果可为实验方案的进一步优化提供依据。