氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响

作     者：李世涛 乔学亮 陈建国 Li Shitao;Qiao Xueliang;Chen Jianguo

作者机构：华中科技大学模具技术国家重点实验室湖北武汉430074 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2006年第35卷第1期

页      面：138-141页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：华中科技大学优秀博士论文基金(2005) 国防预研跨行业基金项目(51410020401JW0504) 

主　　题：磁控溅射 铟锡氧化物 透明导电薄膜 氧流量 

摘      要：采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0~10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜。紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构。结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9sccm时,透射率超过80%(波长λ=400nm^700nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善。XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物。