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顶发光单色绿光OLED微型显示器件发光层掺杂特性研究

Research on the Performance of Luminescent Layer Doping in Top Emitting Monochrome Green OLED Micro-displays

作     者:钱福丽 王光华 杨启鸣 段良飞 高思博 王灿 周允红 段瑜 季华夏 QIAN Fuli;WANG Guanghua;YANG Qiming;DUAN Liangfei;GAO Sibo;WANG Can;ZHOU Yunhong;DUAN Yu;JI Huaxia

作者机构:云南北方奥雷德光电科技股份有限公司云南昆明650223 昆明物理研究所云南昆明650223 

出 版 物:《红外技术》 (Infrared Technology)

年 卷 期:2019年第41卷第10期

页      面:913-917页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基  金:国家自然科学基金项目(61604064) 云南省应用基础研究面上项目(2016FB112) 云南省技术创新人才培养项目(2017HB111) 

主  题:单色绿光 顶发射OLED微型显示器 发光层 光电特性 

摘      要:本文设计了一种磷光顶发射结构制备单色高亮绿光OLED微型显示器件,器件结构为:ITO/2-TNATA/NPB/MCP:Ir(ppy)3/Bphen/LiF/Mg:Ag。为获得低功耗、高亮度的绿光OLED微型显示器件,采用开口率大、益于集成的顶发射结构器件,并对发光层掺杂机制进行实验研究,通过改变掺杂比例获得较佳的器件性能。研究表明,在掺杂比分别为1.0%、1.5%、1.8%、2.0%、2.3%、2.5%的绿光OLED器件中,2.0%的掺杂器件较其他比例的性能更优,通过进一步优化掺杂研究显示,发光层主体材料MCP与掺杂料Ir(ppy)3的最佳掺杂比例为1:0.02,主体材料薄膜厚度为250A。在20mA/cm^2的电流密度下,得到器件电压为3.62V,亮度为4622cd/cm^2,色坐标(X,Y)为(0.33,0.61)。

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