氧化镓纳米带的合成和发光性质研究

作     者：郭彦 吴强 王喜章 胡征 陈懿 GUO Yan;WU Qiang;WANG Xi-Zhang;HU Zheng;CHEN Yi

作者机构：介观化学教育部重点实验室江苏省纳米技术重点实验室南京大学化学系南京210093 

出 版 物：《无机化学学报》 (Chinese Journal of Inorganic Chemistry)

年 卷 期：2005年第21卷第5期

页      面：669-672页

核心收录：

学科分类：0832[工学-食品科学与工程（可授工学、农学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 083201[工学-食品科学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金(No.20471028) 江苏省高技术项目(No.BG2003029) "863"课题(No.2003AA302150)资助项目 

主　　题：纳米带 性质研究 氧化镓 Ga2O3 化学气相沉积法 多孔氧化铝模板 扫描电子显微镜 透射电子显微镜 合成 选区电子衍射 光致发光谱 碳纳米管 形成机理 还原剂 产物 紫外光 微米 

摘      要：采用化学气相沉积法,以碳纳米管作还原剂还原Ga2O3粉末,生成的气态Ga2O和载气Ar中的微量O2反应,在多孔氧化铝模板上沉积得到了Ga2O3纳米带。用扫描电子显微镜,透射电子显微镜和选区电子衍射对产物的结构和形态进行表征,发现产物为β鄄Ga2O3纳米带,宽度在20￣500nm之间,厚度为5￣100nm,长度可达几十微米。产物中还有几微米宽的Ga2O3纳米片。光致发光谱结果表明β鄄Ga2O3纳米带能发射蓝光和紫外光。文中还简单推测了β鄄Ga2O3纳米带的形成机理。