恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算
Calculation of Photocarrier Concentration of a 1-D Loophole HgCdTe PN Junction under Steady-State Incidence作者机构：昆明物理研究所云南昆明650223
出 版 物：《红外技术》 (Infrared Technology)
年 卷 期：2004年第26卷第6期
页 面：41-44,47页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
主 题：环孔 光生载流子 PN结 一般表达式 辐照 一维 求解 连续性方程
摘 要：通过求解一维 HgCdTe 环孔 PN 结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。
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