毫米波单片混频器的研制
Design and Implementation of Millimeter Wave Monolithic Signle Balanced Mixer作者机构：东南大学毫米波国家重点实验室 东南大学毫米波国家重点实验室 南京210096
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：2006年第26卷第1期
页 面：25-28页
核心收录：
学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
主 题：单平衡混频器 砷化镓 毫米波 插入损耗 隔离度 1分贝压缩点
摘 要：采用0.18μm G aA s PHEM T工艺,设计和研制了34;0 GH z毫米波单片混频器。该混频器选择了单平衡结构,采用180°电桥结构改善LO-RF的隔离度,并修改了该结构以方便布版。在39 GH z频点上,该混频器的插入损耗小于7.2 dB、LO-RF隔离度大于32 dB。
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