咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >氧注入制成SOI材料的研究 收藏
分享

氧注入制成SOI材料的研究

STUDY OF SOI PREPARED BY OXYGEN ION IMPLANTATION

作     者：董顺乐 丛培杰 刘家瑞 马瑞芬 Dong Shunle Cong Peijie (Dept.of Phys.,Shandong Univ.,Jinan)Liu Jiarui (Inst.of Phys.Chinese Academy Sciences)Ma Ruifen (Inst.of semiconductor devices,Jinan)

作者机构：山东大学物理系 中国科学院物理研究所 济南半导体元件实验所 

出 版 物：《山东大学学报（理学版）》 (Journal of Shandong University(Natural Science))

年 卷 期：1989年第32卷第4期

页      面：51-55页

核心收录：

学科分类：07[理学] 08[工学] 

主　　题：离子注入 SOI 沟道 

摘      要：采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.

电子资源

读者评论 与其他读者分享你的观点

学校读者
用户名:未登录
我的评分