2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计
Low-Noise 2×8 ROIC Design for InGaAs/InP APD System作者机构：华东师范大学信息学院极化材料与器件教育部重点实验室上海200062 南通大学电子信息学院江苏南通226019
出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)
年 卷 期：2008年第33卷第11期
页 面：1041-1043页
学科分类：070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学]
基 金：科技部重大项目资助(2006CB932802) 南通大学自然科学项目资助(07Z039)
主 题：InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器 低噪声读出电路 电容反馈互阻放大器
摘 要：对In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础,结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC),电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成,并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0.6μm CMOS工艺流片,芯片面积为2 mm×2 mm,电荷存储能力为5×107个,功耗小,噪声低,设计达到预期要求。
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