一种测量电光旋光晶体La_3 Ga_5 SiO_(14)电光系数γ_(11)的新方法

作     者：张少军 田召兵 尹鑫 桑梅 李世忱 ZHANG Shao-jun~(1,2) TIAN Zhao-bing~2 YIN Xin~2 SANG Mei~1 LI Shi-chen~1 1.School of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering,Tianjin University,Tianjin 300072,China;2.State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China

作者机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院天津300072 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 

出 版 物：《天津大学学报》 (Journal of Tianjin University(Science and Technology))

年 卷 期：2006年第39卷第B6期

页      面：157-159页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：光电信息技术科学教育部重点实验室(天津大学)资助项目 

主　　题：激光物理 旋光晶体 硅酸镓镧晶体 电光系数 

摘      要：从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10^(-12)m/V．