Ag-Cu-Ti连接SiC/SiC接头界面反应和界面结构

作     者：刘岩 黄政仁 刘学建 

作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100049 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2009年第38卷第S1期

页      面：195-198页

核心收录：

学科分类：080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

主　　题：Ag-Cu-Ti SiC 界面反应 界面结构 

摘      要：三元Ag-Cu-Ti活性钎料连接常压烧结SiC陶瓷。通过XRD(X-ray diffraction)、EPMA(electron probe microanalysis)和TEM(transmission electron microscopy)研究了SiC/Ag-Cu-Ti界面反应和界面结构。结果表明:焊料中的活性元素Ti与SiC发生化学反应在界面处形成连续致密的反应层,界面反应产物为TiC和Ti5Si3,整个界面形成SiC/TiC/Ti5Si3/Ag-Cu-Ti焊料的结构,其中TiC层晶粒大小约为10 nm左右并且连续分布,而Ti5Si3层晶粒大小差异大(100~500 nm)且不连续,这种差异是由于TiC的高成核率和Ti5Si3的低成核率而产生的。