联氨溶液钝化GaAs(100)表面特性及其发光性能

作     者：徐雨萌 薄报学 高欣 XU Yu-meng;BO Bao-xue;GAO Xin

作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2019年第40卷第10期

页      面：1234-1239页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家自然科学基金(61774024) 国家重点研发计划项目(2017YFB0405100) 吉林省科技发展计划(20160203017GX,20170101047JC,20170203014GX,20190302007GX)资助项目~~ 

主　　题：联氨 GaAs 钝化 光致发光 GaN 

摘      要：为了有效降低GaAs表面态密度,获得稳定的高性能钝化膜,使用联氨溶液钝化GaAs(100)表面。通过光致发光对联氨溶液浓度、Na 2S浓度和钝化时间进行了优化。联氨溶液钝化后GaAs样品的PL比未处理的增加了1.22倍。采用X射线光电子能谱和原子力显微镜分析了联氨溶液钝化前后GaAs的表面成分和形貌。结果表明,联氨溶液钝化GaAs表面可以有效地去除表面氧化物,形成均匀、平整的GaN钝化层。通过表面稳定性测试发现,钝化后的GaAs表面在空气中放置数天,光致发光强度未见明显的退化(30 d内PL强度降低7%),说明钝化后GaAs表面的稳定性良好。