基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器

作     者：钟钢 侯立峰 王晓曼 

作者机构：长春理工大学电子信息工程学院吉林长春130022 中国人民解放军装甲兵技术学院电子工程系吉林长春130117 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2011年第38卷第9期

页      面：7-11页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(60676059)资助课题 

主　　题：激光器 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 AlN膜 钝化层 

摘      要：高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。