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磁控溅射沉积含He纳米晶钛膜制备

Preparation of Helium-Charged Nanocrystalline Titanium Films Deposited by Magnetron Sputtering

作     者:宋应民 罗顺忠 龙兴贵 彭述明 安竹 刘宁 庞洪超 段艳敏 吴兴春 杨本福 郑思孝 SONG Ying-min;LUO Shun-zhong;LONG Xing-gui;PENG Shu-ming;AN Zhu;LIU Ning;PANG Hong-chao;DUAN Yan-min;WU Xing-chun;YANG Ben-fu;ZHENG Si-xiao

作者机构:四川大学原子核科学技术研究所四川成都610064 中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 

出 版 物:《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期:2007年第41卷第6期

页      面:644-647页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0801[工学-力学(可授工学、理学学位)] 

基  金:中国工程物理研究院科学技术重大基金项目子项目(2003Z0501) 

主  题:磁控溅射 氦含量 氦钛膜 平均晶粒尺寸 

摘      要:采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜。利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析。结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35 nm减小到约4 nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜。

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