第一性原理对GanNn(n=2～5)小团簇的结构及电子性质的研究

作     者：葛桂贤 雷雪玲 闫玉丽 杨致 赵文杰 王清林 罗有华 GE Gui-Xian;LEI Xue-Ling;YAN Yu-Li;YANG Zhi;ZHAO Wen-Jie;WANG Qing-Lin;LUO You-Hua

作者机构：石河子大学师范学院物理系生态物理重点实验室新疆832003 新疆师范大学数理信息学院乌鲁木齐830053 河南大学物理与信息光电子学院理论物理研究所开封475004 

出 版 物：《原子与分子物理学报》 (Journal of Atomic and Molecular Physics)

年 卷 期：2008年第25卷第1期

页      面：143-148页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 

主　　题：GanNn团簇 最低能量结构 电子性质 

摘      要：利用密度泛函理论的B3LYP方法在6-31G^＊的水平上对GanNn（n=2～5）团簇的结构进行优化，得到了GanNn（n=2～5）团簇的最稳定结构．并对最稳定结构的电子性质、成键特性和极化率进行分析．结果表明，团簇的最稳定结构为平面结构，且存在着N2和N3单元，说明N—N键在团簇的形成过程中起着决定性的作用；能隙间隔为1．776～3．563eV，表明GanNn（n=2～5）团簇已具有了半导体的性质．