电子-离子碰撞对超热电子影响的PIC模拟计算

作     者：吴衍青 韩申生 WU YAN-QING;HAN SHEN-SHENG

作者机构：中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2000年第49卷第5期

页      面：915-921页

核心收录：

学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术] 

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :696780 12 ) 国家高技术研究发展计划资助的课题&& 

主　　题：电子-离了碰撞 超热电子 PIC模拟计算 

摘      要：超热电子 离子的产生和输运在传统的ICF方案和“快点火方案中都是很重要的问题 .讨论了电子 离子碰撞对参量不稳定性产生超热电子的过程和超热电子输运过程的影响 .指出电子 离子弱碰撞项的加入增强了碰撞吸收 ,提高了热电子温度 ,降低了静电波破裂时的场能 .这些改变了超热电子的总能量和分布 ,使之更集中于静电波的相速 ;电子 离子碰撞的存在还增强了自洽电场 ,阻碍了超热电子的输运 ,同样也是超热电子能量下降的原因之一 .同时 ,为确保计算结果的可靠 ,讨论了初条件对PIC模拟计算的影响 ,指出空间位置随机热启动容易引入非物理因素 。