Cs_3Cu_2I_5晶体薄膜吸收谱的研究

作     者：孙家林 国清华 吴源 李师群 Jialin SUN;Qinghua GUO;Yuan WU;Shiqun LI

作者机构：清华大学现代应用物理系北京100084 中国科学院物理所北京100080 

出 版 物：《光谱学与光谱分析》 (Spectroscopy and Spectral Analysis)

年 卷 期：1999年第19卷第5期

页      面：648-650页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家教委回国人员科研资助 清华大学实验室开放基金 

主　　题：Cs3Cu2I5 晶体薄膜 薄膜 吸收谱 激子状态 

摘      要：本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱，并依此计算出该材料的激子参数，即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ，激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ，禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上，论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中，同时，揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。