前驱体法制备氮氧化硅纳米线及其光学性能研究(英文)
Silicon Oxynitride Nanowires Derived from Polymeric Precursors and the Optical Properties作者机构:北京理工大学材料科学研究中心北京100081
出 版 物:《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期:2007年第36卷第1期
页 面:32-37页
核心收录:
学科分类:08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
基 金:The project supported by the National Nature Science Foundation of China(No.20471007)
摘 要:在Ni催化剂的存在下,通过SiCl4的水解氨解反应并在1300℃氨气气氛中进行热氮化处理制得了无定形氮氧化硅纳米线。产物经X射线衍射(XRD)、热重-差示扫描量热(TG-DSC)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能量色散谱(EDS)和选区电子衍射(SAED)等表征手段进行分析,结果表明纳米线为无定形结构,直径为100-150nm。在波长为220nm的光激发下,产物的光致发光光谱(PL)在563nm和289nm处分别出现了一个强的绿光发光峰和一个弱的紫光发光峰。对纳米线的生长机理进行分析,表明纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机制控制模式。