预制层溅射气压对CIGS薄膜结构及器件的影响

作     者：李光旻 刘玮 林舒平 李晓东 周志强 何青 张毅 刘芳芳 孙云 

作者机构：南开大学电子信息与光学工程学院光电子薄膜与器件研究所天津300071 天津城建大学理学院应用物理系天津300084 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2015年第36卷第2期

页      面：192-199页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0827[工学-核科学与技术] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 

基　　金：国家自然科学基金(61076061)资助项目 

主　　题：溅射气压 粗糙度 CIGS固溶体 

摘      要：研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度,在合适的预制层结构下,活性硒化热处理过程中,可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密,呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后,CIGS薄膜容易产生CIS与CGS两相分离现象,从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低,电池转换效率由10.03%降低到5.02%。