TeO_x和Ag-In-Sb-Te-O薄膜动态存储特性的测试

作     者：李青会 顾冬红 干福熹 LI Qing hui, GU Dong hong, GAN Fu xi (Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, The Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China)

作者机构：中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2003年第30卷第5期

页      面：445-448页

核心收录：

学科分类：081702[工学-化学工艺] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金 ( 5 983 2 0 60 )资助课题 

主　　题：信息光学 光存储 溅射法 TeOx薄膜 Ag-In-Sb-Te-O薄膜 动态存储特性 

摘      要：采用真空蒸镀法制备了以TeOx 薄膜为记录层的可录光盘 ,采用溅射法制备了以Ag In Sb Te O为记录层的可擦重写光盘 ,并测试了这两种光盘在波长为 5 14 .5nm的动态存储特性。实验结果表明 ,可录光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 3 0dB ,波长 780nm时达到 41dB ;可擦重写光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 2 5dB ,波长 780nm时达到 3 8dB。对光盘载噪比偏低的可能原因及改进方法进行了讨论。光盘动态存储性能测试证明了这两种薄膜可用作蓝绿光波段高密度光存储介质。