不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应
STUDY ON γ IRRADIATION EFFECTS OF LONG-WAVELENGTH HgCdTe PHOTOVOLTAIC DETECTORS WITH DIFFERENT PASSIVATE LAYERS作者机构:中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083
出 版 物:《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期:2010年第29卷第1期
页 面:6-9,68页
核心收录:
学科分类:080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要:对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流,在偏压较小及零偏压附近时为产生-复合电流.对辐照前后器件的电阻-电压曲线进行对比分析,认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响,使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加;同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关,拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生-复合寿命,受电离效应的影响较大,导致其产生-复合电流随着辐照剂量增加持续增大.