隧道级联半导体激光器的光束质量因子

作     者：崔碧峰 邹德恕 李建军 郭伟玲 鲁鹏程 刘莹 王婷 沈光地 

作者机构：北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室北京100022 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2004年第25卷第11期

页      面：1433-1436页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 -0 2 ) 北京市自然科学基金 (批准号 :40 3 2 0 0 7) 国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 70 ) 北京市教委 (批准号 :2 0 0 2 KJ0 18)资助项目~~ 

主　　题：隧道级联 光束质量因子 大光腔 半导体激光器 

摘      要：运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论 ,对隧道级联 In Ga As/ Ga As/ Al Ga As半导体激光器的光束质量进行了理论研究 .分析了隧道级联半导体激光器内限制层厚度和垂直方向光束质量因子的关系 .结果表明 ,在隧道结耦合距离内 ,隧道结不仅起到了再生载流子的作用 ,也作为无源波导拓展了光场 ,减小了垂直发散角 ,降低了光束质量因子 .根据模拟结果设计并制备了高光束质量 ,小垂直发散角的隧道级联耦合大光腔半导体激光器 ,其阈值电流密度为 2 71A/ cm2 ,斜率效率为 1.4 9W/ A,垂直发散角为 17.4°,光束质量因子为 1.