利用复合磨粒抛光液的硅片化学机械抛光工艺参数优化试验研究
Experimental study on parameter optimization of silicon wafer CMP using composite abrasives slurry作者机构:浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部重点实验室杭州310032
出 版 物:《现代制造工程》 (Modern Manufacturing Engineering)
年 卷 期:2010年第11期
页 面:69-72,125页
学科分类:08[工学] 080203[工学-机械设计及理论] 0802[工学-机械工程]
摘 要:为提高硅片抛光速率,提出利用复合磨粒抛光液对硅片进行化学机械抛光。分析SiO2磨粒与某种氨基树脂粒子在溶液中的相互作用机制,观察SiO2磨粒吸附在氨基树脂粒子表面的现象。通过向单一磨粒抛光液中加入聚合物粒子的方法获得了复合磨粒抛光液。应用田口法对SiO2磨粒质量分数、氨基树脂粒子质量分数以及抛光速度三个影响硅片材料去除率的工艺因素进行了优化分析,得到以材料去除率为评价条件的优化抛光工艺参数。试验结果表明:利用5wt%的SiO2磨料、3wt%的氨基树脂粒子形成的复合磨粒抛光液,在抛光盘和载样盘的转速均为50r/min以及抛光压力为22kPa的工艺条件下,对硅片进行抛光的抛光速率达到353nm/min。