预极化对PST薄膜介电可调性的影响

作     者：郑赞 杜丕一 赵冉 翁文剑 韩高荣 Zheng Zan;Du Piyi;Zhao Ran;Weng Wenjian;Han Gaorong

作者机构：硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程系浙江杭州310027 

出 版 物：《稀有金属材料与工程》 (Rare Metal Materials and Engineering)

年 卷 期：2008年第37卷第A02期

页      面：188-191页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(50372057) 国家自然科学基金重点项目(50332030) 

主　　题：Zn掺杂PST薄膜 预极化 介电可调 

摘      要：采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性大小与外加偏压施加顺序的关系。结果表明,该薄膜呈现单一的钙钛矿相结构。发现了在预先施加一个相对较高的预极化电场,薄膜在零电场下的介电常数得到了提高。预极化能更多地激发出介电薄膜中偶极子数目,增大了薄膜在零偏压处的介电常数,从而提高了薄膜的介电可调性,在不同的测试电压下可分别从提高3%到提高45%不等,测试电压越低,表现出来的这种提高就越大。